型號: | APT65GL100BN |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 65A I(C) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五(巴西)國際消費電子展|第65A一(c)|至247 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 200K |
代理商: | APT65GL100BN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT7575AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3 |
APT7575BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD |
APT7575HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-258ISO |
APT7590AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 10.5A I(D) | TO-3 |
APT7590BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT65GP60B2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT65GP60B2G | 功能描述:IGBT 600V 100A 833W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT65GP60J | 功能描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
APT65GP60JDQ2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
APT65GP60L2DF2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |