參數(shù)資料
型號： APT60D20B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
中文描述： 超快軟恢復整流二極管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： APT60D20B
0
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Fall Time
APT6010 B2FLL - LFLL
TYP
MAX
6790
8200
1548
2330
70
210
155
240
32
39
80
120
12
24
19
38
34
51
9
20
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Continuous Source Current (Body Diode)
Pulsed Source Current
1
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
2
(V
GS
= 0V, I
S
= -I
D
[Cont.])
Peak Diode Recovery
dv
/
dt 5
Reverse Recovery Time
(I
S
= -I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/μs)
Reverse Recovery Charge
(I
S
= -I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/μs)
Peak Recovery Current
(I
S
= -I
D
[Cont.],
di
/
dt
= 100A/μs)
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
dv
/
dt
t
rr
Q
rr
I
RRM
UNIT
Amps
Volts
V/ns
ns
μC
Amps
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
3
Gate-Source Charge
Gate-Drain ("Miller") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Test Conditions
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
f = 1 MHz
V
GS
= 10V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25°C
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[Cont.] @ 25°C
R
G
= 0.6
MIN
UNIT
pF
nC
ns
MIN
TYP
MAX
54
216
1.3
15
300
600
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2.0
6.8
15
27
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
MIN
TYP
MAX
0.18
40
UNIT
°C/W
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
temperature.
2
Pulse Test: Pulse width < 380 μs, Duty Cycle < 2%
3
See MIL-STD-750 Method 3471
4
Starting T
j
=
+25°C, L = 2.06mH, R
G
=
25
, Peak I
L
= 54A
5 dv
/
dt
numbers reflect the limitations of the test circuit rather than the
device itself.
I
S
≤
-
I
D
[
Cont.
]
di
/
dt
≤
700A/μs
V
R
≤
V
DSS
T
J
≤
150
°
C
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
10
-5
10
-4
10
-3
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
10
-2
10
-1
1.0
10
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
Z
θ
J
,
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.1
0.02
0.05
0.2
D=0.5
0.01
SINGLE PULSE
相關PDF資料
PDF描述
APT60D20LCT ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODES
APT60M75JVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT65GL100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 65A I(C) | TO-247
APT7575AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 11.5A I(D) | TO-3
APT7575BN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-247AD
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