參數(shù)資料
型號(hào)： APT6039SNR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 17A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： APT6039SNR
0
R
D
(
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
,
R
D
(
I
D
,
(
V
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
1.40
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 0.5 I
D
[Cont.]
FIGURE 2, HIGH VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
160
V
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TRANSFER CHARACTERISTICS
I
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
1.2
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
2.5
I
D
= 0.5 I
D
[Cont.]
V
GS
= 10V
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
20
40
60
80
100
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
140
120
100
80
60
40
20
0
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
Typical Preformance Curves
Graph Deleted
VGS=15 &10V
8V
6V
5.5V
6.5V
7V
7.5V
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VD250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
140
120
100
80
60
40
20
0
60
50
30
20
10
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
VGS=10V
VGS=20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT60M80JVR Volts:600V RDS(ON)0.08Ohms ID(cont):55Amps|MOSFETs
APT60S20B Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes
APT60S20B2CT Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes
APT60S20S Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes
APT6018LNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264AA
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參數(shù)描述
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APT6040BNG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30
APT6040BNR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD
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