- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362388 > APT60S20S Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT60S20S |
| 英文描述： | Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes |
| 中文描述： | 電壓：200伏室顫/的Vce（on）：0.95V身份證（續(xù)）：六○安培|高壓肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | APT60S20S |
Characteristic / Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage (V
GS
= 0V, I
D
= 250μA)
On State Drain Current
2
(V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)
Max, V
GS
= 10V)
Drain-Source On-State Resistance
2
(V
GS
= 10V, 0.5 I
D[Cont.]
)
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V, T
C
= 125°C)
Gate-Source Leakage Current (V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
Gate Threshold Voltage (V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5mA)
0
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
STG
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
Parameter
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
C
= 25°C
Pulsed Drain Current
1
Gate-Source Voltage Continuous
Gate-Source Voltage Transient
Total Power Dissipation @ T
C
= 25°C
Linear Derating Factor
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
Avalanche Current
1
(Repetitive and Non-Repetitive)
Repetitive Avalanche Energy
1
Single Pulse Avalanche Energy
4
UNIT
Volts
Amps
Volts
Watts
W/°C
°C
Amps
mJ
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
BV
DSS
I
D(on)
R
DS(on)
I
DSS
I
GSS
V
GS(th)
UNIT
Volts
Amps
Ohms
μA
nA
Volts
MIN
TYP
MAX
600
54
0.100
250
1000
±100
3
5
APT6010
600
54
216
±30
±40
690
5.52
-55 to 150
300
54
50
3000
CAUTION:
These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
USA
EUROPE
405 S.W. Columbia Street
Bend, Oregon 97702-1035
Phone: (541) 382-8028
FAX: (541) 388-0364
Chemin de Magret
F-33700 Merignac - France
Phone: (33)557 9215 15
FAX: (33)5 5647 9761
T-MAX
G
D
S
TO-264
B2FLL
LFLL
APT6010B2FLL
APT6010LFLL
600V
54A 0.100
Power MOS 7
TM
is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching
losses are addressed with Power MOS 7
TM
by significantly lowering R
and Q
. Power MOS 7
TM
combines lower conduction and switching losses
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's
patented metal gate structure.
Lower Input Capacitance
Increased Power Dissipation
Lower Miller Capacitance
Easier To Drive
Lower Gate Charge, Qg
Popular
T-MAX
or TO-264 Package
FAST RECOVERY BODY DIODE
POWER MOS 7
TM
FREDFET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6018LNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264AA |
| APT6040BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247AD |
| APT6040BVR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AD |
| APT6040SVR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 16A I(D) | D3PAK |
| APT6045BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT60S20SG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 75A 200V D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| APT60S20SG/TR | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK |
| APT64GA90B | 功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT64GA90B2D30 | 功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT64GA90LD30 | 功能描述:IGBT 900V 117A 500W TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。