- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄362388 > APT6039BNR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247AD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT6039BNR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 17A條（?。﹟采用TO - 247AD |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | APT6039BNR |
15.49 (.610)
5.38 (.212)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
Gate
1.01 (.040)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
2.87 (.113)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
Drain
Source
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
19.51 (.768)
19.81 (.780)
25.48 (1.003)
2.29 (.090)
0.76 (.030)
2.79 (.110)
3.10 (.122)
4.60 (.181)
1.80 (.071)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
2.29 (.090)
5.79 (.228)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
T-MAX
TM
(B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
0
APT6010 B2FLL - LFLL
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
16
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
200
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
30,000
10,000
1,000
100
10
100
10
1
1
10
100
500
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
10mS
1mS
100μS
Crss
Coss
Ciss
VDS=250V
VDS=100V
VDS=400V
I
D
= I
D
[Cont.]
TJ =+150°C
TJ =+25°C
216
100
10
1
12
8
4
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6039SNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| APT60M80JVR | Volts:600V RDS(ON)0.08Ohms ID(cont):55Amps|MOSFETs |
| APT60S20B | Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes |
| APT60S20B2CT | Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes |
| APT60S20S | Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):60Amps|High Voltage Schottky Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT6039SNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| APT6040 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
| APT6040AN | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-3 |
| APT6040BN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APT6040BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:130nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。