- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362388 > APT6010B2FLL Volts:600V RDS(ON)0.1Ohms ID(cont):54Amps|FREDFETs ( fast body diode) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | APT6010B2FLL |
| 英文描述： | Volts:600V RDS(ON)0.1Ohms ID(cont):54Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
| 中文描述： | 電壓：600V的的RDS（ON）0.1Ohms身份證（續(xù)）：54安培| FREDFETs（快速體二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | APT6010B2FLL |
15.49 (.610)
5.38 (.212)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
Gate
1.01 (.040)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
2.87 (.113)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
Drain
Source
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
19.51 (.768)
19.81 (.780)
25.48 (1.003)
2.29 (.090)
0.76 (.030)
2.79 (.110)
3.10 (.122)
4.60 (.181)
1.80 (.071)
2.59 (.102)
0.48 (.019)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
2.29 (.090)
5.79 (.228)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
T-MAX
TM
(B2) Package Outline
TO-264 (L) Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
0
APT6010 B2FLL - LFLL
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
16
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
200
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
30,000
10,000
1,000
100
10
100
10
1
1
10
100
500
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
10mS
1mS
100μS
Crss
Coss
Ciss
VDS=250V
VDS=100V
VDS=400V
I
D
= I
D
[Cont.]
TJ =+150°C
TJ =+25°C
216
100
10
1
12
8
4
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT6010LFLL | Volts:600V RDS(ON)0.1Ohms ID(cont):54Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
| APT601R3KN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-220 |
| APT601R6KN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.8A I(D) | TO-220 |
| APT6030BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
| APT6030HJN | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)DSS | 23A I(D) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT6010B2FLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT6010B2LL | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. |
| APT6010B2LLG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT6010JFLL | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:* |
| APT6010JLL | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 47A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:* |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。