參數(shù)資料
型號: APT50GT120JU2
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大小: 608K
代理商: APT50GT120JU2
APT50GT120JU2
A
PT
50G
T
120J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 3mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 2mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3600
Coes
Output Capacitance
188
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
163
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
85
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 18
W
65
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
6.6
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 18
W
5.8
mJ
相關PDF資料
PDF描述
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APT50GT120LRDQ2G 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT60BR 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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