參數(shù)資料
型號(hào)： APT50GT120JU2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 608K
代理商： APT50GT120JU2
APT50GT120JU2
A
PT
50G
T
120J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 7
ISOTOP
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
IC1
TC = 25°C
75
IC2
Continuous Collector Current
TC = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
347
W
IFAV
Maximum Average Forward Current
Duty cycle=0.5
TC = 80°C
27
IFRMS
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
34
A
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
K
E
C
G
VCES = 1200V
IC = 50A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Brake switch
Features
Trench + Field Stop IGBT Technology
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 20 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
ISOTOP Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Low conduction losses
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
ISOTOP Boost chopper
Trench IGBT
K
C
G
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JU3 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120LRDQ2 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120LRDQ2G 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT60BR 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT50GT120LR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GT120LRG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50GT60BR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
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