參數(shù)資料
型號： APT50GT120JRDQ2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 450K
代理商： APT50GT120JRDQ2
052-6278
Rev
A
9-2005
APT50GT120JRDQ2
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
TJ = 125°C
VR = 800V
15A
30A
60A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
30
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
TJ = 175°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
150
100
50
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETE
RS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
T
J = 175°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
TJ = 125°C
VR = 800V
60A
15A
30A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
TJ = 125°C
VR = 800V
60A
30A
15A
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
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PDF描述
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APT50GT120LRG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
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