參數(shù)資料
型號： APT50GT120B2RG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 106 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-247, TMAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 395K
代理商： APT50GT120B2RG
052-6270
Rev
A
8-2005
APT50GT120B2R(G)
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 800V
R
G = 1
L = 100H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
ICE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 1
V
CE = 800V
T
J = 25°C, or 125°C
R
G = 1
L = 100H
35
30
25
20
15
10
5
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25,000
20,000
15,000
10,000
5,000
0
60,000
50,000
40,000
30,000
20,000
10,000
0
300
250
200
150
100
50
0
60
50
40
30
20
10
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
25,000
20,000
15,000
10,000
5,000
0
V
GE = 15V
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 1
VCE = 800V
VGE = +15V
RG = 1
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
30
50
70
90
110
10
20
30
40
50
60
10
30
50
70
90
110
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G = 1, L = 100H, VCE = 800V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
R
G = 1, L = 100H, VCE = 800V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
VCE = 800V
VGE = +15V
TJ = 125°C
E
on2,100A
E
off,100A
E
on2,50A
E
off,50A
E
on2,25A
E
off,25A
相關PDF資料
PDF描述
APT50GT120B2R 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT50GT120LRG 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120LR 94 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT50GT120JRDQ2 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT50GT120JRDQ2 72 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APT50GT120JRDQ2 功能描述:IGBT 1200V 72A 379W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT50GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT50GT120JU3 功能描述:IGBT 1200V 75A 347W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT50GT120LR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 106A 694W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*