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相關(guān)PDF資料	PDF描述
APT50M50JLL	Volts:500V RDS(ON):0.05Ohms ID(cont:)79Amps\|MOSFETs
APT5020BNF	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-247AD
APT5020BNFR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-247AD
APT5020BNR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-247AD
APT5020HJN	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D)

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APT50M50JLL

Volts:500V RDS(ON):0.05Ohms ID(cont:)79Amps|MOSFETs

TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 28A I(D)

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
APT50GLQ65JU2	功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT50GN120B2	制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT50GN120B2G	功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO-247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GN120L2DQ2	制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT
APT50GN120L2DQ2G	功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO264 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

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APT50GLQ65JU2

功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:220W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1

APT50GN120B2

制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT

APT50GN120B2G

功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO-247 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

APT50GN120L2DQ2

制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT

APT50GN120L2DQ2G

功能描述:IGBT 1200V 134A 543W TO264 RoHS:是類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件

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型號(hào)：	APT50GL60BN
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 50A I(C) \| TO-247
中文描述：	晶體管\| IGBT的\|正陳\| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展\| 50A條一（c）\|至247
文件頁數(shù)：	2/4頁
文件大?。?/td>	230K
代理商：	APT50GL60BN

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