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參數(shù)資料
| 型號： | APT5020HJN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET功率模塊|半橋| 500V五（巴西）直| 28A條（?。?/td> |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | APT5020HJN |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5027BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247AD |
| APT5027BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
| APT5027SNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB |
| APT5027SVR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | D3PAK |
| APT5030BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT5020JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) |
| APT5020SLC | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT5020SN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-263AB |
| APT5020SVFR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
| APT5020SVFRG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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