參數(shù)資料
型號(hào)： APT50G50BN
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展| 50A條一（c）|采用TO - 247AD
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
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代理商： APT50G50BN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT50G60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD
APT50GF100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247
APT50M60JNF TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 71A I(D)
APT50M60JVR Volts:500V RDS(ON)0.06Ohms ID(cont):63Amps|MOSFETs
APT50M50PVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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參數(shù)描述
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APT50GF120B2R 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
APT50GF120B2RG 功能描述:IGBT 1200V 135A 781W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT50GF120JRD 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
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