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參數(shù)資料
| 型號： | APT50G50BN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 500V五（巴西）國際消費電子展| 50A條一（c）|采用TO - 247AD |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | APT50G50BN |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT50G60BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| APT50GF100BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50M60JNF | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 71A I(D) |
| APT50M60JVR | Volts:500V RDS(ON)0.06Ohms ID(cont):63Amps|MOSFETs |
| APT50M50PVR | Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT50G60BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
| APT50GF100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247 |
| APT50GF120B2R | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT50GF120B2RG | 功能描述:IGBT 1200V 135A 781W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT50GF120JRD | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
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