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APT5020JN	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D)
APT5020SN	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-263AB
APT5022BNF	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247AD
APT5022BNFR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 27A I(D) \| TO-247AD
APT5022BNR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-247AD

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APT5020JN

TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 28A I(D)

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
APT5014LLC	制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5014LVFR	制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT5014LVFRG	制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube
APT5014LVR	制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT5014LVRG	功能描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO-264 RoHS:是類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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參數(shù)描述

APT5014LLC

制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT5014LVFR

制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET

APT5014LVFRG

制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS5 - Rail/Tube

APT5014LVR

制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT5014LVRG

功能描述:MOSFET N-CH 500V 37A TO-264 RoHS:是類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:POWER MOS V® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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