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參數(shù)資料
| 型號： | APT5022BNFR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-247AD |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 27A條（?。﹟采用TO - 247AD |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 230K |
| 代理商： | APT5022BNFR |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT5022BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
| APT5022JN | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
| APT5024BLL | Volts:500V RDS(ON):0.24Ohms ID(cont:)22Amps|MOSFETs |
| APT5024SLL | Volts:500V RDS(ON):0.24Ohms ID(cont:)22Amps|MOSFETs |
| APT5025BNR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-247AD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT5022BNG | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:210nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 13.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247AD 封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 |
| APT5022BNR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-247AD |
| APT5022JN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 27A I(D) |
| APT5023DN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | CHIP |
| APT5024AVR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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