型號: | APT45GF60BN |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 45A條一(c)|至247 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 214K |
代理商: | APT45GF60BN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT45GL100BN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247 |
APT5025HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO |
APT5030HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258ISO |
APT5040AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.5A I(D) | TO-3 |
APT5040BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT45GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247 |
APT45GP120B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT45GP120B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT45GP120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT45GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 100A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |