參數(shù)資料
型號: APT45GF60BN
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 45A條一(c)|至247
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 214K
代理商: APT45GF60BN
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT45GL100BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247
APT5025HN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO
APT5030HN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258ISO
APT5040AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.5A I(D) | TO-3
APT5040BN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT45GL100BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247
APT45GP120B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT45GP120B2DQ2G 功能描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT45GP120BG 功能描述:IGBT 1200V 100A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件