型號: | APT45GL100BN |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-247 |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 1KV交五(巴西)國際消費電子展| 45A條一(c)|至247 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 214K |
代理商: | APT45GL100BN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT5025HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-258ISO |
APT5030HN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-258ISO |
APT5040AN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.5A I(D) | TO-3 |
APT5040BN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247AD |
APT5040CN | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-254ISO |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT45GP120B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT45GP120B2DQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
APT45GP120B2DQ2G | 功能描述:IGBT 1200V 113A 625W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT45GP120BG | 功能描述:IGBT 1200V 100A 625W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT45GP120J | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |