參數(shù)資料
型號(hào)： APT40N60LCFG
元件分類： JFETs
英文描述： 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 191K
代理商： APT40N60LCFG
050-7236
Rev
A
5-2005
Typical Performance Curves
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
T-MAXTM (B2) Package Outline (B2CF)
TO-264 (L) Package Outline (LCF)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
Figure 19, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
Figure 18, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Drain Current
Drain Voltage
Gate Voltage
T
J125°C
10%
t
d(on)
90%
5%
t
r
5%
10%
APT30DQ60
ID
VDS
D.U.T.
VDD
G
Figure 20, Inductive Switching Test Circuit
T
J125°C
10%
0
t
d(off)
t
f
Switching Energy
90%
Drain Voltage
Gate Voltage
Drain Current
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
Switching Energy
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
D
ra
in
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
ra
in
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT44GA60SD30C 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT44GA60BD30C 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT4540BN-BUTT 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4540BN-GULLWING 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5040BN-GULLWING 16 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
APT40SM120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT40SM120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT40SM120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT41F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT41F100J_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET
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