參數(shù)資料
型號(hào)： APT40N60LCFG
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 40 A, 600 V, 0.11 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 191K
代理商： APT40N60LCFG
050-7236
Rev
A
5-2005
APT40N60B2CF(G)_LCF(G)
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
Scope pics are placed with the place command
and then scaled to 50%
T
C =+25°C
T
J =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY RDS (ON)
C
rss
C
iss
C
oss
V
GS
,GATE-TO-SOURCE
VOLTAGE
(VOLTS)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I DR
,REVERSE
DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
C,
CAPACITANCE
(pF)
80
10
5
1
16
12
8
4
0
30,000
10,000
1,000
100
10
200
100
10
1
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
SD, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 12, GATE CHARGE vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
100S
1mS
10mS
SWITCHING
ENERGY
(mJ)
t d(on)
and
t d(off)
(ns)
SWITCHING
ENERGY
(mJ)
t rand
t f
(ns)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2500
2000
1500
1000
500
0
E
on
E
off
I
D (A)
I
D (A)
FIGURE 14, DELAY TIMES vs CURRENT
FIGURE 15, RISE AND FALL TIMES vs CURRENT
I
D (A)
R
G, GATE RESISTANCE (Ohms)
FIGURE 16, SWITCHING ENERGY vs CURRENT
FIGURE 17, SWITCHING ENERGY VS. GATE RESISTANCE
T
J =+150°C
T
J =+25°C
V
DS=300V
V
DS=120V
V
DS=480V
ID = 40A
t
d(on)
t
d(off)
VDD = 400V
RG = 5
TJ = 125°C
L = 100H
VDD = 400V
RG = 5
TJ = 125°C
L = 100H
Eon includes
diode reverse recovery.
VDD = 400V
RG = 5
TJ = 125°C
L = 100H
t
r
t
f
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
2500
2000
1500
1000
500
0
VDD = 400V
ID = 40A
TJ = 125°C
L = 100H
Eon includes
diode reverse recovery.
E
on
E
off
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10
20
30
40
50
1
10
100
600
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
300
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT44GA60SD30C 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT44GA60BD30C 78 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT4540BN-BUTT 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT4540BN-GULLWING 16 A, 450 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
APT5040BN-GULLWING 16 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
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參數(shù)描述
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APT40SM120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT40SM120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 41A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:41A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)） 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2560pF @ 1000V 功率 - 最大值:273W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
APT41F100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT41F100J_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel FREDFET
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