參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GT60BR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： APT40GT60BR
052-6222
Rev
C
1
1-
2008
APT40GT60BR
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J
= 125°C
Collector Current
CollectorVoltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J
= 125°C
CollectorVoltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
t
d(off)
10%
t
f
90%
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
APT30DQ60
Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583
4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262
and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO-247 (B) Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
Emitter
Collector
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40M35JVR 93 A, 400 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT40M42JN 86 A, 400 V, 0.042 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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APT40M40LVFRG 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT40M70LVFR 57 A, 400 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
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參數(shù)描述
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