參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP60B2DQ2G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/9頁(yè)
文件大?。?/td> 529K
代理商： APT40GP60B2DQ2G
050-7493
Rev
A
5-2005
APT40GP60B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
APT40GT60BR
4
3
1
2
5
Zero
1
2
3
4
diF/dt - Rate of Diode Current Change Through Zero Crossing.
IF - Forward Conduction Current
IRRM - Maximum Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time, measured from zero crossing where diode
Qrr - Area Under the Curve Defined by IRRM and trr.
current goes from positive to negative, to the point at which the straight
line through IRRM and 0.25 IRRM passes through zero.
Figure 33. Diode Test Circuit
Figure 34, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
0.25 IRRM
PEARSON 2878
CURRENT
TRANSFORMER
diF/dt Adjust
30H
D.U.T.
+18V
0V
Vr
trr/Qrr
Waveform
e1 SAC: Tin, Silver, Copper
T-MAX (B2) Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
C
ol
le
ct
or
(C
at
ho
de
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT40GP60B2DQ2 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APT40GP60S 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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