參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP60B2DQ2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 529K
代理商： APT40GP60B2DQ2
050-7493
Rev
A
5-2005
APT40GP60B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
IC = 40A
TJ = 25°C
V
CE = 480V
V
CE = 300V
V
CE = 120V
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
20
40
60
80
100 120
140
6
8
10
12
14
16
-55
-25
0
25
50
75
100
125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 80A
I
C = 40A
I
C = 20A
I
C = 80A
I
C = 40A
I
C = 20A
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
250
200
150
100
50
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
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PDF描述
APT40GP90B2DQ2 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
APT40GP90B2DQ2G 101 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
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