參數(shù)資料
型號(hào)： APT33GF120BR
英文描述： Volts:1200V VF/Vce(ON):3.2V ID(cont):33Amps|Fast IGBT Family
中文描述： 電壓：1200伏室顫/的Vce（on）：3.2V的身份證（續(xù)）：三十三安培|快速IGBT系列
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： APT33GF120BR
APT33GF120BR
0
T0-247 Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
C
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
V
CC
= 0.66 V
CES
E
ts
= E
on
+ E
off
V
CE
(on)
t
d
(off)
t
d
(on)
t
f
t
r
1
Figure 15, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 16, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
V
CC
R
G
R
L
=
.5 V
CES
I
C2
10%
90%
V
GE
(on)
V
CE
(off)
V
GE
(off)
2
1
From
Gate Drive
Circuitry
D.U.T.
B
I
C
I
C
90%
10%
90%
10%
10%
90%
E
off
t
f
t
d
(off)
t
d
(on)
t
r
E
on
I
C
V
CLAMP
100uH
V
CHARGE
A
A
B
D.U.T.
DRIVER*
V
C
A
R
G
V
C
V
C
D.U.T.
V
CE
(SAT)
t=2us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT3507FN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 60A I(D) | F-PACK SIP
APT3520AN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 22.5A I(D) | TO-3
APT3520BN TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-247AD
APT35G50BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247
APT35G60BN TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT33GF120BRG 功能描述:IGBT 1200V 52A 297W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT33GF120HR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs
APT33GF120LRD 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-264
APT33GF120LRDQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:FAST IGBT & FRED
APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT 1200V 64A 357W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*