參數(shù)資料
型號(hào)： APT33GF120B2RD
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The Fast IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： ⑩的快速I(mǎi)GBT是一種高壓IGBT的新一代。
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： APT33GF120B2RD
Typ. gate charge
V
GE
=
(Q
Gate
)
parameter: I
C puls
= 25 A
0
20
40
60
80
100
120
140
170
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 V
600 V
Typ. capacitances
C= f(V
CE
)
parameter: V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
CE
40
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
Ciss
C
Coss
C
Crss
C
Short circuit safe operating area
I
Csc
= f (V
CE
) , T
j
= 150°C
parameter: V
GE
= ± 15 V, t
sc
≤
10 μs, L < 25 nH
0
200
400
600
800
1000 1200
V
V
CE
1600
0
2
4
6
10
I
Csc
/I
C(90°C)
Reverse biased safe operating area
I
Cpuls
= f(V
CE
) , T
j
= 150°C
parameter: V
GE
= 15 V
0
200
400
600
800
1000 1200
V
V
CE
1600
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/I
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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APT33GF120HR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs
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