參數(shù)資料
型號(hào)： APT30GP60JD1
英文描述： Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family
中文描述： 電壓：600V的室顫/的Vce（on）：2.7身份證（續(xù)）：三十二安培|超快IGBT的家庭
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 53K
代理商： APT30GP60JD1
PEARSON 411
CURRENT
TRANSFORMER
0.5 IRRM
di
F
/dt Adjust
30μH
D.U.T.
+15v
-15v
0v
Vr
4
3
1
2
5
5
0.75 IRRM
trr/Qrr
Waveform
Zero
6
1
2
3
4
6
di
/dt - Current Slew Rate, Rate of Forward
Current Change Through Zero Crossing.
I
F
- Forward Conduction Current
I
RRM
- Peak Reverse Recovery Current.
trr - Reverse Recovery Time Measured from Point of I
Current Falling Through Zero to a Tangent Line
{
diM/dt
}
Extrapolated Through Zero Defined by 0.75 and 0.50 I
RRM
.
Qrr - Area Under the Curve Defined by I
RRM
and trr.
diM/dt - Maximum Rate of Current Change During the Trailing Portion of trr.
6
Figure 9, Diode Reverse Recovery Test Circuit and Waveforms
Figure 10, Diode Reverse Recovery Waveform and Definitions
Qrr = 1/2
(
trr . I
RRM
)
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
TO-247 Package Outline
APT30D120BCT
0
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
Anode 1
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Common Cathode
Anode 2
Dimensions in Millimeters and (Inches)
C
TO-247 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30M17JFLL Volts:300V RDS(ON)0.017Ohms ID(cont):135Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT30M30B2FLL Volts:300V RDS(ON)0.03Ohms ID(cont):100Amps|FREDFETs ( fast body diode)
APT30M45JNR TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 70A I(D)
APT30M50JNR TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 65A I(D)
APT30M61BFLL Volts:300V RDS(ON)0.061Ohms ID(cont):54Amps|FREDFETs ( fast body diode)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30GP60JDQ1 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT30GP60LDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT30GP60LDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A TO-264
APT30GS60BRDL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT
APT30GS60BRDLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*