型號: | APT30GP60JD1 |
英文描述: | Volts:600V VF/Vce(ON):2.7V ID(cont):32Amps|Ultrafast IGBT Family |
中文描述: | 電壓:600V的室顫/的Vce(on):2.7身份證(續(xù)):三十二安培|超快IGBT的家庭 |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 53K |
代理商: | APT30GP60JD1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT30M17JFLL | Volts:300V RDS(ON)0.017Ohms ID(cont):135Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
APT30M30B2FLL | Volts:300V RDS(ON)0.03Ohms ID(cont):100Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
APT30M45JNR | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 70A I(D) |
APT30M50JNR | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 300V V(BR)DSS | 65A I(D) |
APT30M61BFLL | Volts:300V RDS(ON)0.061Ohms ID(cont):54Amps|FREDFETs ( fast body diode) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT30GP60JDQ1 | 功能描述:IGBT 600V 67A 245W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APT30GP60LDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
APT30GP60LDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A 463W TO264 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:IGBT 600V 100A TO-264 |
APT30GS60BRDL | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
APT30GS60BRDLG | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - RESONANT MODE - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |