參數(shù)資料
型號： APT30GP60B2DL
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-247, TMAX-3
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 199K
代理商： APT30GP60B2DL
052-6355
Rev
A
7-2008
300
100
50
10
0
10
20
30
40
50
60
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERA
TING
FREQUENCY
(kHz)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating
Frequency vs Collector Current
C
res
C
ies
C
oes
TYPICAL PREFORMANCE CURVES
T
J = 125°C
T
C = 75°C
D = 50 %
V
CE = 400V
R
G = 5 Ω
APT30GP60B2DL_LDL(G)
max
max1
max 2
max1
d(on )
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on 2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
Rθ
=
++
+
=
+
=
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.0196
0.107
0.144
0.00500F
0.0132F
0.135F
Power
(Watts)
Junction
temp. ( ”C)
RC MODEL
Case temperature
J/°C
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