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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT30GL100BN |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 596K |
| 代理商： | APT30GL100BN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GL100BN | 45 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT130GL60JN | 130 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT11GF120BRD1 | 22 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT11GF120BRDQ1 | 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC |
| APT11GF120BRD | 22 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT30GN60B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT30GN60BDQ2 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT30GN60BDQ2G | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT30GN60BG | 功能描述:IGBT 600V 63A 203W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT30GN60K | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Resonant Mode Combi IGBT |
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