型號(hào): | APT30GF60BN |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大小: | 596K |
代理商: | APT30GF60BN |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT110GF60JN | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
APT25GF100BN | 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT35GL60BN | 35 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT55GF60BN | 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT65GL100BN | 65 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT30GF60JCU2 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:ISOTOP? Boost chopper NPT IGBT SiC chopper diode |
APT30GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APT30GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 58A 192W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APT30GL100BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247 |
APT30GN60B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |