型號: | APT110GF60JN |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 110 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | ISOTOP-4 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 596K |
代理商: | APT110GF60JN |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT25GF100BN | 25 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT35GL60BN | 35 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT55GF60BN | 55 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT65GL100BN | 65 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
APT45GF60BNU1 | 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT11F80B | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
APT11F80S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK |
APT11GF120BRD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:1200V VF/Vce(ON):3V ID(cont):11Amps|Fast IGBT Family |
APT11GF120BRDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:FAST IGBT & FRED |
APT11GF120BRDQ1G | 功能描述:IGBT 1200V 25A 156W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |