參數(shù)資料
型號: APT22M100JCU2
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: JFETs
英文描述: 22 A, 1000 V, 0.48 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ROHS COMPLIANT, ISOTOP-4
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 109K
代理商: APT22M100JCU2
APT22M100JCU2
APT
22M
100JCU2
Rev
0
September
,2009
www.microsemi.com
3- 5
SOT-227 (ISOTOP
) Package Outline
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
Typical Mosfet Performance Curve
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single P ulse
0
0.1
0.2
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
T
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
a
n
ce
C
/W
)
Maxim um Effective Transient Therm al Im pedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Source
Gate
Drain
Cathode
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT23H50S 23 A, 500 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT23H50B 23 A, 500 V, 0.26 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
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APT25GN120B2DQ2G 67 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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