參數(shù)資料
型號: APT20GN60BDQ1
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝: TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 431K
代理商: APT20GN60BDQ1
050-7615
Rev
A
7-2005
APT20GN60BDQ1(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
APT15DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20GN60SDQ2 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GN60BDQ2(G) 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GN60BDQ2 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GN60SDQ2(G) 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GS60BRDQ1 37 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT20GN60BDQ1G 功能描述:IGBT 600V 40A 136W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT20GN60BG 功能描述:IGBT 600V 40A 136W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT20GN60K 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:High Speed PT IGBT
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