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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT20GF120SRD |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | D3PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | APT20GF120SRD |
20GF120BRD/SRD
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
3.55 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
Collector
(Cathode)
Emitter
(Anode)
Gate
Collector
(Cathode)
052-6252
Rev
C
4-2003
15.95 (.628)
16.05(.632)
1.22 (.048)
1.32 (.052)
5.45 (.215) BSC
{2 Plcs.}
4.98 (.196)
5.08 (.200)
1.57 (.062)
2.67 (.105)
2.84 (.112)
0.46 (.018)
{3 Plcs}
0.56 (.022)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Collector)
and Leads (Cathode)
are Plated
3.81 (.150)
4.06 (.160)
(Base of Lead)
Collector
(Cathode
)
(Heat
Sink)
1.98 (.078)
2.08 (.082)
Gate
Collector (Cathode)
Emitter (Anode)
0.020 (.001)
0.178 (.007)
1.27 (.050)
1.40 (.055)
11.51 (.453)
11.61 (.457)
13.41 (.528)
13.51(.532)
Revised
4/3/2003
1.04 (.041)
1.15(.045)
13.79 (.543)
13.99(.551)
Revised
4/3/2003
TO-247 Package Outline
D
3
PAK Package Outline
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT20GF120SRDQ1G | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120BRDQ1G | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT20GF120BRDQ1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT20GF120SRDQ1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT20GF120SRDQ1 | 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT20GF120SRDQ1 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| APT20GF120SRDQ1G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT LOW FREQUENCY - COMB - Rail/Tube |
| APT20GN60B | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt High Speed NPT IGBT |
| APT20GN60BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:IGBT |
| APT20GN60BDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 40A 136W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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