- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄36706 > APT15GP60K 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT15GP60K |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/6頁(yè) |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | APT15GP60K |
050-7418
Rev
A
10-2005
APT15GP60K
T
J = 125
C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
90%
t
d(off)
t
f
10%
Switching Energy
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
Emitter
10.66 (.420)
9.66 (.380)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
14.73 (.580)
12.70 (.500)
1.01 (.040) 3-Plcs.
0.38 (.015)
2.79 (.110)
2.29 (.090)
4.82 (.190)
3.56 (.140)
1.39 (.055)
0.51 (.020)
4.08 (.161) Dia.
3.54 (.139)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
16.51 (.650)
14.23 (.560)
6.35 (.250)
MAX.
Gate
Collector
6.85 (.270)
5.85 (.230)
1.77 (.070) 3-Plcs.
1.15 (.045)
2.92 (.115)
2.04 (.080)
3.42 (.135)
2.54 (.100)
0.50 (.020)
0.41 (.016)
5.33 (.210)
4.83 (.190)
Collector
TO-220AC Package Outline
10%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
td(on)
90%
tr
5%
5 %
10%
Switching Energy
T
J = 125 C
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
IC
A
D.U.T.
APT15DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GP60K | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT15GP90B | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP90B | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP90BG | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| APT15GP90BG | 43 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT15GP60KG | 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GP60S | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
| APT15GP90B | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT15GP90B_06 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs |
| APT15GP90BDQ1 | 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。