參數(shù)資料
型號： APT1204R7KLL
英文描述： Volts:1200V RDS(ON):4.7Ohms ID(cont:)3Amps|MOSFETs
中文描述： 電壓：1200伏的RDS（ON）：4.7Ohms編號（續(xù)：）3安培| MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 64K
代理商： APT1204R7KLL
APT1204R7 BLL - SLL
0
15.49 (.610)
5.38 (.212)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
1.01 (.040)
3.50 (.138)
2.87 (.113)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
D
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
TO
-
247 Package Outline
15.95 (.628)
1.22 (.048)
5.45 (.215) BSC
4.98 (.196)
1.47 (.058)
2.67 (.105)
{3 Plcs}
0.46 (.018)
0.020 (.001)
Dimensions in Millimeters (Inches)
Heat Sink (Drain)
3.81 (.150)
D
(
1.98 (.078)
Gate
Drain
Source
1.27 (.050)
11.51 (.453)
13.41 (.528)
Revised
1.04 (.041)
13.79 (.543)
4/18/95
D
3
PAK Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
16
I
D
= I
D
[Cont.]
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
100
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
1
10
100
1200
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
14
10
5
1
0.5
12
8
4
0
Crss
Ciss
Coss
TJ =+150°C
TJ =+25°C
VDS=250V
VDS=100V
VDS=400V
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
10mS
1mS
100μS
3,000
1,000
500
100
50
10
50
10
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT1204R7SLL Volts:1200V RDS(ON):4.7Ohms ID(cont:)3Amps|MOSFETs
APT15S20BCT Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):15Amps|High Voltage Schottky Diodes
APT15D20BCT Volts:200V VF/Vce(ON):1.3V ID(cont):15Amps|Fast Recovery Epitaxial Diodes (FREDs)
APT15S20K Volts:200V VF/Vce(ON):0.95V ID(cont):15Amps|High Voltage Schottky Diodes
APT15DS60 2-300V HIGH FREQUENCY SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODES IN SERIES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT1204R7SFLL 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET
APT1204R7SFLLG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET - MOS7 - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER FREDFET TRANSISTOR
APT1204R7SLL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:1200V RDS(ON):4.7Ohms ID(cont:)3Amps|MOSFETs
APT12057B2FLL 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 FREDFET
APT12057B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*