參數(shù)資料
型號： APT100S20B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
中文描述： 高壓肖特基二極管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： APT100S20B
0
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
MIN
TYP
MAX
110
88
123
1600
1600
5
7
253
490
6.0
6.0
210
250
UNIT
ns
Amps
nC
Volts
A/μs
APT100S20B
Characteristic
Reverse Recovery Time, I
F
= 1.0A, di
F
/dt
= -15A/μs, V
R
= 30V,
T
J
= 25°C
Reverse Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 100A, di
F
/dt
= -100A/μs, V
R
= 100V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 100A, di
F
/dt
= 100A/μs, V
R
= 100V
T
J
= 100°C
Reverse Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 100A, di
F
/dt
= -100A/μs, V
R
= 100V
T
J
= 100°C
Recovery Charge
T
J
= 25°C
I
F
= 100A, di
F
/dt
= -100A/μs, V
R
= 100V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Voltage
T
J
= 25°C
I
F
= 100A, di
F
/dt
= 100A/μs, V
R
= 100V
T
J
= 100°C
Rate of Fall of Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 100A, di
F
/dt
= -100A/μs, V
R
= 100V
T
J
= 100°C
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
t
rr1
t
rr2
t
rr3
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
diM/dt
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Junction-to-Case Thermal Resistance
Package Weight
Maximum Mounting Torque (Screw Type = 6-32 or 3mm Machine)
Symbol
R
q
JC
R
q
JA
W
T
Torque
MIN
TYP
MAX
.24
40
0.35
9.9
10
1.1
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
TO-247 Package Outline
1
The maximum current is limited by lead temperature
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
15.49 (.610)
5.38 (.212)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.80 (.819)
1.65 (.065)
1.01 (.040)
10.90 (.430) BSC
3.50 (.138)
4.69 (.185)
1.49 (.059)
2.21 (.087)
0.40 (.016)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
C
Anode
Cathode
相關PDF資料
PDF描述
APT100S20LCT RES 301K SM 1/16W F 0603CS THKF 100PPM/C
APT10M09B2VR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10M09B2VFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT10M09LVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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