型號(hào): | APT100S20B |
廠商: | Advanced Power Technology Ltd. |
英文描述: | HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
中文描述: | 高壓肖特基二極管 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 32K |
代理商: | APT100S20B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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APT100S20LCT | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODES |
APT100S20LCTG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個(gè)二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
APT102GA60B2 | 功能描述:IGBT 600V 183A 780W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT102GA60L | 功能描述:IGBT 600V 183A 780W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |