參數(shù)資料
型號： APT10086BLC
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
中文描述： 電源MOS VITM是一種低柵極電荷新一代高壓N溝道增強型功率MOSFET。
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： APT10086BLC
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
1
5
10
50 100
5001000
.01
.1
1
10
50
0
50
100
150
200
250
300
350
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
D
Drain
Source
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
APT10086BVFR
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
60
10
5
1
.5
.1
20
16
12
8
4
0
15,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
5
1
.5
.1
0
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
10
μ
S
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
Crss
Coss
Ciss
VDS=200V
VDS=100V
VDS=500V
1mS
10mS
100mS
DC
100
μ
S
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents: 4,895,810
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
5,256,583
I
D
= I
D
[Cont.]
TO-247 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT10086SLC Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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