參數(shù)資料
型號： APT1004
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： RES 3K00 1% 0.063W 0603
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 50K
代理商： APT1004
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 10, MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 11, TYPICAL CAPACITANCE vs DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
, SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 13, TYPICAL SOURCE-DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
FIGURE 12, GATE CHARGES vs GATE-TO-SOURCE VOLTAGE
V
G
,
I
D
,
I
D
,
C
10.67 (.420)
10.41 (.410)
5.33 (.210)
5.20 (.205)
19.05 (.750)
12.07 (.500)
10.92 (.430)
10.41 (.410)
.889 (.035) Dia. 3-Plcs.
.635 (.025)
2.54 (.100) BSC
5.08 (.200)
4.83 (.190)
3.05 (.120) BSC
1.14 (.045)
0.89 (.035)
3.81 (.150) Dia.
3.56 (.140)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
16.89 (.665)
16.38 (.645)
13.64 (.537)
13.38 (.527)
TO-257AA Package Outline
APT1004RGN
10
μ
S
100
μ
S
1mS
10mS
100mS
DC
10,000
1,000
100
10
100
50
20
10
5
2
1
1
5
10
50 100
5001000
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
15
10
5
1
0.5
0.1
20
16
12
8
4
0
I
D
= I
D
[Cont.]
TJ =+150
°
C
TJ =+25
°
C
VDS=500V
VDS=200V
VDS=100V
Crss
Ciss
Coss
TC =+25
°
C
TJ =+150
°
C
SINGLE PULSE
OPERATION HERE
LIMITED BY R
DS
(ON)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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