參數(shù)資料
型號(hào)： APT1003RSLL
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 MOSFET
中文描述： MOSFET的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： APT1003RSLL
0
APT1003RKLL
Typical Performance Curves
R
D
(
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
,
R
D
(
I
D
,
(
V
5.5V
6V
6.5V
5V
VGS =15 & 10V
7.5V
VGS=10V
VGS=20V
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VD250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
1.40
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
16
V
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TRANSFER CHARACTERISTICS
I
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
1.2
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
2.5
I
D
= 2A
V
GS
= 10V
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
7V
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
14
12
10
8
6
4
2
0
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 2A
10
8
6
4
2
0
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.386
0.508
0.00336F
0.0903F
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°
C)
Case temperature. (
°
C)
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