參數(shù)資料
型號： APM4953KC-TRL
廠商： Anpec Electronics Corporation
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型MOS管
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： APM4953KC-TRL
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0
Terminal Material
Lead Solderability
Solder-Plated Copper (Solder Material : 90/10 or 63/37 SnPb), 100%Sn
Meets EIA Specification RSI86-91, ANSI/J-STD-002 Category 3.
t 25 C to Peak
tp
Ramp-up
t
L
Ramp-down
ts
Preheat
Tsmax
Tsmin
T
L
T
P
25
T
Time
Critical Zone
T
L
to T
P
!*#
(IR/Convection or VPR Reflow)
#!*
$)+
Profile Feature
Sn-Pb Eutectic Assembly
Pb-Free Assembly
Average ramp-up rate
(T
L
to T
P
)
Preheat
Temperature Min (Tsmin)
Temperature Max (Tsmax)
Time (min to max) (ts)
Time maintained above:
Temperature (T
L
)
Time (t
L
)
Peak/Classificatioon Temperature (Tp)
Time within 5
°
C of actual
Peak Temperature (tp)
Ramp-down Rate
Time 25
°
C to Peak Temperature
Notes: All temperatures refer to topside of the package .Measured on the body surface.
3
°
C/second max.
3
°
C/second max.
100
°
C
150
°
C
60-120 seconds
150
°
C
200
°
C
60-180 seconds
183
°
C
60-150 seconds
217
°
C
60-150 seconds
See table 1
See table 2
10-30 seconds
20-40 seconds
6
°
C/second max.
6 minutes max.
6
°
C/second max.
8 minutes max.
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PDF描述
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