參數(shù)資料
型號： APM4953KC-TRL
廠商： Anpec Electronics Corporation
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
中文描述： 雙P溝道增強型MOS管
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： APM4953KC-TRL
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!
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
"#$
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Rating
Unit
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
Drain-Source Voltage
-30
Gate-Source Voltage
±25
V
Continuous Drain Current
-4.9
Pulsed Drain Current
Diode Continuous Forward Current
V
GS
=-10V
-20
A
-2
A
T
J
T
STG
Maximum Junction Temperature
150
Storage Temperature Range
-55 to 150
°
C
T
A
=25
°
C
T
A
=100
°
C
2
0.8
P
D
*
Power Dissipation for Single Operation
W
R
θ
JA
*
Thermal Resistance-Junction to Ambient
62.5
°
C/W
Note:
*Surface Mounted on 1in
2
pad area, t
≤
10sec.
APM4953K
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static Characteristics
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
=0V, I
DS
=250
μ
A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
-30
V
-1
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
T
J
=85
°
C
-30
μ
A
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
GSS
Gate Leakage Current
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250
μ
A
V
GS
=±25V, V
DS
=0V
V
GS
=-10V, I
DS
=-4.9A
V
GS
=-4.5V, I
DS
=-3.6A
I
SD
=-1.7A, V
GS
=0V
-1
-1.5
-2
V
±100
nA
53
60
R
DS(ON)
a
Drain-Source On-state Resistance
80
95
m
V
SD
a
Diode Forward Voltage
-0.7
-1.3
V
Gate Charge Characteristics
b
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-Source Charge
Q
gd
Gate-Drain Charge
22.6
30
4.7
V
DS
=-15V, V
GS
=-10V,
I
DS
=-4.9A
2
nC
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