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參數(shù)資料
| 型號： | APM4532 |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) |
| 中文描述： | 雙增強(qiáng)型MOS管（N溝道和P溝道） |
| 文件頁數(shù)： | 6/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | APM4532 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Sep., 2002
www.anpec.com.tw
6
APM4532
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
20
25
30
30
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
1
10
20
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
2
30
Source-Drain Diode Forward Voltage
I
S
-
T
J
=150°C
T
J
=25°C
V
SD
-Source-to-Drain Voltage (V)
Typical Characteristics ( Cont.)
P
Single Pulse Power
Time (sec)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
Normalized Thermal Transient Impedence, Junction to Ambient
1.Duty Cycle, D=t1/t2
2.Per Unit Base=R
thJA
=62.5°C/W
3.T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
Duty Cycle=0.5
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
SINGLE PULSE
N-Channel
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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