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參數(shù)資料
| 型號： | APM2313 |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 中文描述： | P溝道增強(qiáng)型MOS管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | APM2313 |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. A.1 - Jun., 2003
www.anpec.com.tw
4
APM2313
0
5
10
15
20
0
100
200
300
400
500
600
123456789
10
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
01
23456
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
Typical Characteristics (Cont.)
R
DS(ON)
-On-Resistance
(
)
(Normalized)
On-Resistance vs. Junction Temperature
-VGS=4.5V
-ID=1.8A
TJ - Junction Temperature (°C)
-VDS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
(pF)
Ciss
Coss
Crss
-VGS - Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(ON)
-On-Resistance
(
)
-ID=1.8A
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Gate Charge
QG - Gate Charge (nC)
-V
GS
-Gate-Source
V
oltage
(V)
-VDS=10V
-ID=1.8A
Frequency=1MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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