參數(shù)資料
型號： APL502B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 58 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TMAX-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： APL502B2
DYNAMIC CHARACTERISTICS
APL502B2_L(G)
050-5896
Rev
E
2-2010
Symbol
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
MIN
TYP
MAX
7485
9000
1290
1810
617
930
13
26
27
54
56
84
16
20
UNIT
pF
ns
Test Conditions
V
GS = 0V
V
DS = 25V
f = 1 MHz
V
GS = 15V
V
DD = 250V
I
D = 29A @ 25°C
R
G = 0.6
W
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
THERMAL CHARACTERISTICS
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction
3 See MIL-STD-750 Method 3471
temperature.
4 Starting T
j = +25°C, L = 1.78mH, RG = 25
W
, Peak I
L = 58A
2 Pulse Test: Pulse width < 380 μS, Duty Cycle < 2%
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specications and information contained herein.
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
FIGURE 1, MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0.5
0.1
0.3
0.7
D = 0.9
0.05
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
SINGLE PULSE
Characteristic
Junction to Case
Package Weight
Symbol
R
q
JC
W
T
MIN
TYP
MAX
.17
0.22
5.9
UNIT
°C/W
oz
g
相關PDF資料
PDF描述
APL502L 58 A, 500 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APM3055LUC-TRG 3 A, 30 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
APM4472KC-TRG 12 A, 40 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
APM4472KC-TRL 12 A, 40 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
APT1001R1AVR 9 A, 1000 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APL502B2G 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APL502J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> FET 系列:- 標準包裝:10 系列:*
APL502L 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:LINEAR MOSFET
APL502LG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 58A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APL5101 制造商:ANPEC 制造商全稱:Anpec Electronics Coropration 功能描述:150mA, 4uA Quiescent Current Regulator
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