參數(shù)資料
型號(hào)： AP9510GM
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 6.9 A, 30 V, 0.028 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, SOP-8
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： AP9510GM
P-Channel
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Reverse Diode
Junction Temperature
AP9510GM
0
10
20
30
40
50
60
70
01
234
5
6
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
T A =25
o C
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
V G =-3.0V
0
10
20
30
40
50
60
01
23
45
6
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
-I
D
,
Drain
Cu
rre
n
t(A)
T A =150
o C
-10V
-8.0V
-6.0V
-4.5V
V G =-3.0V
40
50
60
70
80
90
100
3456
789
10
11
-V GS ,Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(
ON)
(m
ΩΩΩΩ
)
I D = -5A
T A =25
o C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
N
o
rmalize
d
R
DS(
ON)
I D =-5A
V G = -10 V
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
-I
S
(A
)
T j =25
o C
T j =150
o C
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
2.8
3
-50
0
50
100
150
T j , Junction Temperature (
o C)
-V
GS(
th)
(V
)
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PDF描述
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