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參數(shù)資料
| 型號： | AP504-PCB |
| 英文描述： | DCS-band 4W HBT Amplifier Module |
| 中文描述： | 集散控制系統(tǒng)帶4瓦異質(zhì)結(jié)雙極晶體管放大器模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 230K |
| 代理商： | AP504-PCB |
Specifications and information are subject to change without notice
WJ Communications, Inc
Phone 1-800-WJ1-4401
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e-mail: sales@wj.com
Web site: www.wj.com
Page 3 of 5 April 2007
AP504
DCS-band 4W HBT Amplifier Module
Performance Graphs (cont’d)
ACPR vs. Output Power
CDMA2000 SR1, 1
FA
, fc=1765 MHz,
+25
°
C, Vcc=12V, Icq=850mA
-90
-80
-70
-60
18
20
22
24
26
Total Output Power (dBm)
A
1.98 MHz offset
885 kHz offset
Icc vs. Output Power
1765 MHz, Vcc=12V, Icq=850mA
760
780
800
820
840
860
18
20
22
24
26
28
Output Channel Power (dBm)
I
-40 °C
+25 °C
+85 °C
Icc / PAE vs. Output Power
1765 MHz, +25 °C, Vcc=12V, Icq=850mA
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
20
22
24
26
28
30
32
34
Output Power (dBm)
I
PAE
Icc
Output Power / Gain vs. Input Power
1765 MHz, +25 °C, Vcc=12V, Icq=850mA
28
30
32
34
36
38
-4
-2
0
2
4
6
Input Power (dBm)
G
Pout
Gain
IMD vs. Output Power per tone
1765 MHz, +25 °C, Vcc=12V, Icq=850mA
-80
-70
-60
-50
-40
-30
18
20
22
24
26
28
Output Power per tone (dBm)
I
IMD3_Upper
IMD3_Lower
IMD5
OIP3 vs. Output Power per tone
1765 MHz, +25 °C, Vcc=12V, Icq=850mA
30
35
40
45
50
55
18
20
22
24
26
28
Output Power per tone (dBm)
O
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP512 | UMTS-band 8W HBT Amplifier Module |
| AP512-PCB | UMTS-band 8W HBT Amplifier Module |
| AP513 | DCS-band 8W HBT Amplifier Module |
| AP513-PCB | DCS-band 8W HBT Amplifier Module |
| AP5S | HCMOS/TTL COMPATIBLE SURFACE-MOUNT PROGRAMMABLE CRYSTAL CLOCK OSCILLATOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP50B10 | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:AP50B10 split core current transducer |
| AP50-B10 | 制造商:LEM 制造商全稱:LEM 功能描述:AC Current transducer AP-B10 |
| AP50B420L | 制造商:LEM Holdings SSA 功能描述:AP50B420L current transducer |
| AP50-B420L | 制造商:LEM 制造商全稱:LEM 功能描述:AC Current transducer AP-B420L |
| AP50C-6 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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