參數(shù)資料
型號： AOU456
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 74K
代理商： AOU456
193
18
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
R
θ
JA
R
θ
JC
Typ
41
2.1
Max
50
3
A
mJ
Junction and Storage Temperature Range
T
C
=100°C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
W
A
P
D
°C
50
25
-55 to 175
30
45
I
D
50
50
150
Pulsed Drain Current
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
Continuous Drain
Current
G
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±20
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
25
Maximum
Units
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
Steady-State
AOU456
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 50A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
<7 m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
<10 m
(V
GS
= 4.5V)
General Description
The AOU456 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications.
Standard
Product AOU456 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AOU456L is a Green Product
ordering option. AOU456 and AOU456L are
electrically identical.
G
D
S
G D S
Top View
Drain Connected
to Tab
TO-251
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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