參數資料
型號： AO8822L
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強型場
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： AO8822L
AO8822
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
(
s
V
DS
=10V
I
D
=7A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
)
C
iss
C
rss
C
oss
0
0.001
10
20
30
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
P
T
J(Max)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Z
θ
J
T
T
on
T
P
D
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
μ
s
100
μ
s
10ms
100m
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=150°C, T
A
=25°C
1s
10s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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